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元件参数资料
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参数目录41756
> IRF640NPBF MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
型号:
IRF640NPBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRF640NPBF PDF
产品目录绘图
IR Hexfet TO-220AB
标准包装
50
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
18A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
150 毫欧 @ 11A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
67nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1160pF @ 25V
功率 - 最大
150W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
产品目录页面
1518 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
*IRF640NPBF
查看IRF640NPBF代理商
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